微纳电子技术期刊
出版文献量(篇)
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微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
出版文献量(篇)
3266
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  • 作者: 薛舫时
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年4期
    页码:  193-200,253
    摘要: 从AlGaN/GaN沟道阱电子状态出发,深入研究了GaN HFET研究中的钝化和场板电极.提出了用低、高Al组分比势垒制成复合势垒,来抬高势垒和增大势垒宽度,强化沟道阱的量子限制.强调了负极...
  • 作者: 唐冬和 庄奕琪 李晨 杜磊 陈华 陈文豪
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年4期
    页码:  201-208
    摘要: 论述了纳米电子器件与结构中散粒噪声的产生机理和影响因素,表明散粒噪声与输运过程密切相关,按照噪声功率谱的幅值大小将散粒噪声分为泊松散粒噪声、亚泊松散粒噪声和超泊松散粒噪声四类.将散粒噪声的这...
  • 作者: 任永晓 张世祖 杨红伟 花吉珍 陈宏泰
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年4期
    页码:  209-212
    摘要: 利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术,生长了InGaAs/AlGaAs分别限制压应变双量子阱和单量子阱两种材料结构,通过对不同腔长单管激光器的LIV测试获得内部参数,对单、双阱两种材料...
  • 作者: 吴雪梅 朱小健 洪波 金成刚
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年4期
    页码:  213-216
    摘要: 利用高纯SiC烧结靶上粘贴金属Cr片的复合靶用双离子束溅射沉积方法,在Si和KBr单晶衬底上制备了掺杂SiC薄膜.用傅里叶变换红外光谱分析法(FTIR)和喇曼光谱仪对制得的薄膜样品进行了表征...
  • 作者: 张秀梅 王利光 霍新霞 齐文辉
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年4期
    页码:  217-220
    摘要: 选择C20富勒烯分子最可能稳定存在的几种等能异构构型作为研究对象,在高斯中选用密度泛函理论,用B3LYP/6-31G*方法和基组对这几种分别属于D2h、C2h、C2、D3d和Ci对称群的C2...
  • 作者: 卜夏正 商耀辉 崔琦 武一宾 牛晨亮 赵辉
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年4期
    页码:  221-225,230
    摘要: 设计并用分子束外延(MBE)法制备了不同沟道结构的GaAs PHEMT材料,采用高分辨率X射线双晶衍射仪(DCXRD)、应力测试仪和霍尔测试仪对样品的结晶质量、薄层组分和厚度偏差、应力以及电...
  • 作者: 周兆英 杨明伟
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年4期
    页码:  226-230
    摘要: 针对微雾化器存在的多能域能量耦合问题,建立了压电微雾化器的固一液-声耦合模型,对其耦合特性进行了数值计算,并着重分析了压电振子结构参数对耦合性的影响,得到了压电振子结构参数对于系统的结构振动...
  • 作者: 林启敬 王伟忠 王鑫垚 蒋庄德 赵玉龙
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年4期
    页码:  231-235
    摘要: 为满足三维微力测量的需求,以MEMS体硅压阻工艺技术为基础,研制了一种基于微探针形式,具有μN级三维微力测量和传感能力的半导体压阻式三维微力硅微集成传感器.传感器采用相互迟滞的4个单端固支硅...
  • 作者: 刘婷婷 白竹川 陈营端 高杨
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年4期
    页码:  236-243
    摘要: 概述了电渗泵驱动的基本原理.根据电渗泵微通道的结构特征,将其分为多孔介质电渗泵和开放通道电渗泵两类,并阐述了两类电渗泵的研究进展和各种结构电渗泵性能的优缺点,分析了驱动电压、温度、通道结构尺...
  • 作者: 严伟 乔俊仙 周绍林 李艳丽 杨勇 胡松 蒋文波
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年4期
    页码:  244-249
    摘要: 介绍了电子束曝光技术的原理.根据精密工件台对测量系统的需要,设计了三轴工件台测量系统布局方式,并简单介绍了激光干涉测量系统所需元器件数量的计算方法.重点讨论了双频激光干涉测量原理、双频光束与...
  • 作者: 付铁利 唐兰香 肖国华 郑珏琛
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年4期
    页码:  250-253
    摘要: 在干法刻蚀GaN时使用SiO2作为掩蔽物,为了在较快的GaN刻蚀速率下获得良好的GaN/SiO2刻蚀选择比,使用电感耦合等离子刻蚀机(ICP),运用Cl2和Ar作为刻蚀气体,改变ICP功率、...
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年4期
    页码:  254-255
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年4期
    页码:  256
    摘要:

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

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3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

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