微纳电子技术期刊
出版文献量(篇)
3266
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16974

微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
出版文献量(篇)
3266
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16974
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  • 作者: 孙凤 李萍 王敏 王金合 马剑雄
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年10期
    页码:  637-642
    摘要: 太阳电池是新能源领域一个不可忽视的领域.随着纳米技术的不断发展,纳米技术和太阳电池有了越来越多的结合点.综述了纳米结构阵列在太阳电池中的应用,其中包括光子晶体、纳米棒阵列、纳米孔阵列、纳米光...
  • 作者: 袁明文
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年10期
    页码:  643-649,672
    摘要: 简述了金刚石半导体电气性质,即高击穿电场、宽带隙、高载流子饱和速度、高载流子迁移率和高热导率.回顾了金刚石器件的研究进程.讨论了器件的工作机理,包括掺杂和空穴积累层.详细描述了几种具有潜力的...
  • 作者: 李岚 李晓岚 杨瑞霞 王阳 邵会民
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年10期
    页码:  650-653
    摘要: 介绍了GaAs,InP和GaN等几种重要化合物半导体电子器件的特点、应用和发展前景.回顾了GaAs,InP和GaN材料的材料特性及其器件发展历程与现状.分别讨论了GaAs基HEMT由PHEM...
  • 作者: 侯登录 刘超 曲蛟 李秀玲 许佳玲 贾利云
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年10期
    页码:  654-657,687
    摘要: 利用磁控溅射方法制备了纳米Co/Cu多层膜.利用扫描探针显微镜(SPM)观测了其表面形貌和磁畴结构,并通过振动样品磁强计(VSM)测量了磁性.结果表明,薄膜的微结构和磁性随非磁性层厚度的变化...
  • 作者: 孙会元 潘成福 范虹 许佳玲 贾利云
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年10期
    页码:  658-661,697
    摘要: 利用超高真空磁控溅射方法制备了一系列不同C层厚度的C/FePt/Fe纳米薄膜,然后进行原位高温退火.应用X射线衍射仪(XRD)分析了样品的晶体结构,利用扫描探针显微镜(SPM)观测了表面形貌...
  • 作者: 赵兴海 郑英彬 陈颖慧 高杨
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年10期
    页码:  662-666,692
    摘要: 通信系统向高频的发展趋势使声表面波(SAW)滤波器技术面临着越来越多的挑战.利用传统材料制作SAW滤波器的中心频率很难达到GHz频段,因此探索在高声速材料基础上制作SAW滤波器成为一种必然趋...
  • 作者: 丁桂甫 张彧 王文 赵小林 陈荣
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年10期
    页码:  667-672
    摘要: 根据微机电系统(MEMS)在承压能力与化学稳定性方面的要求,在国外文献的基础上配制得到一种作为Si-聚酰亚胺(PI)低温键合黏合剂的芳香类热固性共聚酯(ATSP).使用ATSP在不同条件下对...
  • 作者: 代富 刘显学 官承秋 高杨
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年10期
    页码:  673-678
    摘要: 传统微机械陀螺的扫频测试一般采用价格昂贵的通用测试仪,其存在测试成本高、效率低等缺点.设计了一种基于现场可编程门阵列(FPGA)的手持扫频测试仪,能够自动进行扫频测试并求取被测微机械陀螺的谐...
  • 作者: 刘楠 刘玉岭 杨飞 田巧伟 苏伟东 高宝红 黄妍妍
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年10期
    页码:  679-682
    摘要: 简要论述了互连工艺中铜布线取代铝布线的必然趋势,以及铜布线片化学机械抛光(CMP)后进行清洗的必要性.在集成电路制造的过程中,漏电流的危害已经引起了广泛关注.在CMP过程中产生的三种主要表面...
  • 作者: 吴峰霞 王文赫
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年10期
    页码:  683-687
    摘要: 研究了一种有效刻蚀聚酰亚胺(PI)的干法刻蚀方法,以金属铬为掩膜,刻蚀经涂胶并亚胺化而得到具有一定厚度的PI薄膜.利用反应离子刻蚀设备(RIE)将O2和CHF3按一定比例混合,适当调节刻蚀压...
  • 作者: 任浩 孙娜 安振峰 常慧曾 徐会武 王伟 王媛媛
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年10期
    页码:  688-692
    摘要: 从大功率半导体激光器可靠性封装和应用考虑,利用商用有限元软件Abaqus与CFdesign对微通道热沉材料、结构进行优化设计,结合相应的制造工艺流程制备实用化复合型微通道热沉.微通道热沉尺寸...
  • 作者: 刘春香 杨洪星 林健 王云彪 赵权
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年10期
    页码:  693-697
    摘要: 在磷化铟单晶片的抛光工艺中,将整个抛光过程分为粗抛、中抛以及精抛三个阶段,分别实现对磷化铟抛光片的总厚度变化、局部厚度变化以及表面粗糙度的控制.在粗抛阶段,采取压纹结构的抛光布、硅胶直径大的...
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年10期
    页码:  698-700
    摘要:

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

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2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

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