微纳电子技术期刊
出版文献量(篇)
3266
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微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
出版文献量(篇)
3266
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16974
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  • 作者: 刘军 蒋盛烽
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年11期
    页码:  709-713
    摘要: 选取了HICUM,VBIC和AgilentHBT (AHBT)三种模型,介绍并分析了不同模型应用在磷化铟(InP)异质结双极型晶体管(HBT)器件模型抽取中的特点.HBT模型中的载流子渡越时...
  • 作者: 位子涵 孙永娇 张萌 胡杰
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年11期
    页码:  714-718
    摘要: 采用水热法合成了氧化铟(In2O3)微球结构.利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征分析In2O3样品的晶相、元素种类和微观形貌.测试结果表明:合成的In2O3为空心的微球...
  • 作者: 张强 马锡英
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年11期
    页码:  719-725
    摘要: 少数层MoSe2材料作为一种新型半导体材料,具有较高的光电转换效率.综述了单层或数层MoSe2二维材料的特性,简述了MoSe2二维纳米材料的主要制备方法,包括机械剥离法、化学气相沉积(CVD...
  • 作者: 付学成 卢学良 史丽云 段力 汪军 沈勇 王丹凤 王英 翁昊天
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年11期
    页码:  726-730
    摘要: 研制了一种氧化锌基的固体装配型薄膜体声波谐振器.采用了布拉格反射层为反射基底,以掺镁氧化锌作为压电层,利用MEMS微制造工艺形成了一系列的固体装配型薄膜体声波谐振器.通过优化条件,制备出了具...
  • 作者: 叶志通 张振宇 苏宇锋
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年11期
    页码:  731-742,772
    摘要: 电磁式振动能量采集器是一种重要的微能源器件.介绍了近年来国内外研究人员提出的具有代表性的电磁式振动能量采集器,按照改善电磁式振动能量采集器输出性能的措施,把相关电磁式振动能量采集器的研究归纳...
  • 作者: 吴婷 左春柽 张礼兵 黄风立
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年11期
    页码:  743-750,762
    摘要: 电流体动力学喷印技术是一种制备微纳米结构与器件的新型技术,该技术在多种功能器件的制备方面受到广泛关注.阐述了电流体动力学喷印技术的研究背景,通过分析得出电压控制问题是电流体动力学喷印技术中的...
  • 作者: 付梦秋 徐少辉 朱一平 熊大元 王连卫 童新 谭人玮 赵振杰 连柯楠
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年11期
    页码:  751-756
    摘要: 利用压差液流法在硅微通道板(MCP)孔道内侧壁上沉积钴镍磷(CoNiP)软磁性材料,制备了钴镍磷微米管阵列.比较了液流沉积与直接水热法沉积两种工艺方法,验证了液流法对于宏多孔硅化学沉积的优化...
  • 作者: 何平 刘玉岭 张文霞 张金 潘国峰 牛新环 王辰伟 闫辰奇
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年11期
    页码:  757-762
    摘要: 比较了两种不同特性蓝宝石抛光液的化学机械平坦化(CMP)性能.在蓝宝石CMP过程中,针对抛光液pH值、硅溶胶磨料粒径以及抛光液中的化学添加剂(如螯合剂和表面活性剂)的作用进行了研究,以比较材...
  • 作者: 冯恒振 孙亚楠 石云波 秦丽 连树仁
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年11期
    页码:  763-766,772
    摘要: 晶圆键合强度是影响高g MEMS压阻式加速度传感器输出特性的主要因素之一.在200℃,200~800 V条件下完成硅-玻璃阳极键合实验,利用数字拉力机来表征不同参数条件下阳极键合强度,并用M...
  • 作者: 刘玉岭 张文倩 栾晓东 洪姣 王娟 王辰伟
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年11期
    页码:  767-772
    摘要: 针对直径300 mm硅晶圆的粗抛,研究了不同稀释比例的FA/O型硅片粗抛液对硅去除速率的影响,发现按1∶30的体积比稀释时硅片背面去除速率偏低.通过深入分析1∶30的稀释体积比下温度与硅去除...
  • 作者: 冯亚南 李锁印 梁法国 许晓青 赵琳 韩志国
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年11期
    页码:  773-778
    摘要: 介绍了微米级台阶高度样块的重要作用和国内外研制现状.为了研制出表面质量好的台阶高度标准样块,设计了不同的刻蚀工艺方案.通过对不同刻蚀工艺制作出样块的均匀性、表面粗糙度和平行度进行比较,确定标...

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

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2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

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