300mm硅晶圆粗抛速率优化

• 作者: 刘玉岭 张文倩 栾晓东 洪姣 王娟 王辰伟
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅晶圆 化学机械抛光(CMP) 粗抛液 温度 使用寿命
• 年，卷（期）: 2016,（11）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 767-772
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2016.11.010

摘要

针对直径300 mm硅晶圆的粗抛,研究了不同稀释比例的FA/O型硅片粗抛液对硅去除速率的影响,发现按1∶30的体积比稀释时硅片背面去除速率偏低.通过深入分析1∶30的稀释体积比下温度与硅去除速率的关系,对抛光液和工艺进行调整优化,提高了硅片去除速率.优化结果表明,硅晶圆背面和正面抛光的启动温度和最高温度均上升了约1℃,同时5.5 min内背面去除量由3.34μm增至3.67μm,15 min内正面去除量由10.075μm提高到12.285 μm,均满足工业要求.进而对抛光液循环使用寿命进行了验证,结果表明FA/O型硅粗抛液使用寿命可达300 min,有利于降低生产成本.