真空电子技术期刊
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真空电子技术

Vacuum Electronics

CSTPCD

影响因子 0.1767
本刊1959年创刊,现为双月刊,国内外公开发行。是真空电子专业协会会刊,电真空情报网网刊,中国真空电子技术领域唯一的综合技术类刊物。设有专家论坛、研究报告、研究与设计、新技术、技术交流、工艺与应用、综述等栏目。主要刊登的是真空微波器件、离子器件真空开关器件等真空电子器件;CPT、CDT、PDP等显示器件和光电器件;照明光源;真空获得、测量、控制;气体分析;表面技术;电子材料及特殊工艺等方面的... 更多
主办单位:
北京真空电子技术研究所
期刊荣誉:
编辑质量奖 
ISSN:
1002-8935
CN:
11-2485/TN
出版周期:
双月刊
邮编:
100015
地址:
北京749信箱7分箱
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  • 作者: 丁明清
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2013年4期
    页码:  1-5
    摘要: 与固态器件相比,真空电子器件的最大特点是电子在真空中的运动速率远大于在固体中的运动速率.然而,石墨烯的问世使这种现象发生了变化.现已发现,石墨烯中的电子不仅运动速率远高于传统半导体中的电子,...
  • 作者: 严辉 侯育冬 宋雪梅 朱满康 段成辉 雷娜
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2013年4期
    页码:  6-12
    摘要: 本文总结了钛酸铋钠[Na1/2Bi1/2 TiO3,BNT]的相变过程,特别是其低温下出现的退极化现象的研究现状.同时,对目前研究的NBT基复合体系的准同型相界及其退极化行为方面的研究进展进...
  • 作者: 严辉 侯育冬 朱满康 郑木鹏
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2013年4期
    页码:  13-18
    摘要: PZN-PZT压电陶瓷由于具有优越的电学性能和较高的居里温度而成为目前研究与应用最为广泛的多元系压电陶瓷材料之一.本文主要介绍了其结构特点、改性方法及器件应用的研究进展,并展望了其发展趋势.
  • 作者: 张巨先
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2013年4期
    页码:  19-22
    摘要: 本文从低介电损耗、细晶Al2O3陶瓷的材料性能及其封接件焊接性能、疲劳可靠性、高温Mo-Mn金属机理四个方面,综合介绍了细晶Al2O3陶瓷材料应用性能的研究情况,从研究结果看,低介电损耗、细...
  • 作者: 张巨先 陈丽梅
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2013年4期
    页码:  23-26
    摘要: 采用活化Mo-Mn法对99%氧化铍陶瓷进行了金属化实验和抗拉强度实验.封接强度实验结果表明,活化Mo-Mn法适合99%氧化铍陶瓷金属化封接,其焊接强度与氧化铝陶瓷相当.通过对99%氧化铍陶瓷...
  • 作者: 尚阿曼 张巨先 高鸣 黄亦工
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2013年4期
    页码:  27-30
    摘要: 本文通过不同烧结温度制备出两种显微结构的高纯Al2O3陶瓷,采用四种不同的加工方式,制备出不同表面状态的高纯Al2O3陶瓷样品.利用轮廓仪测量样品表面粗糙度,并利用扫描电镜对其表面显微形貌进...
  • 作者: 张巨先 田志英 陈丽梅
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2013年4期
    页码:  31-34
    摘要: 本文通过比较95% Al2O3瓷和高纯Al2O3瓷Mo-Mn金属化前后的抗折强度,发现金属化层有助于提高瓷本身的抗折强度.约25 μm厚的金属化层使95% Al2O3瓷的抗折强度提高20%左...
  • 作者: 傅凤翠 周增林 张美玲 惠志林 李景勋 李艳 林晨光 相里景龙 高陇桥
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2013年4期
    页码:  35-43
    摘要: 本文概述了陶瓷金属化专用钼粉开发的重要性和现状,汇总并分析了钼粉相关的国家标准、行业采购标准及表征方法;结合“开桶即用”陶瓷金属化专用钼粉的开发与应用,重点探讨了激光粒度测试的重复性和准确性...
  • 作者: 赵东亮 高岭
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2013年4期
    页码:  44-47
    摘要: 氮化铝陶瓷直接覆铜基板是将铜箔在高温下直接键合到氮化铝陶瓷表面而制成的一种复合陶瓷基板,具有高导热性、高电绝缘性、大电流容量、高机械强度等特点,广泛应用于智能电网、动力机车、汽车电子等电力电...
  • 作者: 柴云川 王浏杰 薛函迎 郭卫斌
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2013年4期
    页码:  48-52
    摘要: 介绍了锆钒铁吸气剂在室温(约20℃)下真空放置,不需高温激活即具有大量吸氢能力的现象.着重从表面吸附的角度分析此现象的反应机理,建立了反应模型,并进行了试验验证,由此得到影响该现象的主要因素...
  • 作者: 刘燕文 方荣 朱虹 陆玉新
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2013年4期
    页码:  53-55,63
    摘要: 慢波组件是螺旋线行波管的关键组成部分,它的性能优劣直接决定着整管水平.本文利用无变形热挤压方法制备了不同材料夹持杆的慢波组件.分析比较了不同夹持杆对慢波组件散热性能的影响.介绍了将金刚石应用...
  • 作者: 任佳乐 任瑞康 张洪波 彭建中 徐磊 旷峰华 李自金
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2013年4期
    页码:  56-60
    摘要: 通过凝胶注模法制备了ZTA陶瓷材料,研究了ZrO2添加量对ZTA陶瓷微观形貌、力学性能以及电学性能的影响.结果表明:随着ZrO2添加量增加,材料的力学性能先增加后降低,添加量为20%(体积比...
  • 作者: 孟丽红 李秀霞 王艳 郑晓阳
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2013年4期
    页码:  61-63
    摘要: 本文介绍了研制大功率速调管的过程中输出窗的失效现象,比较了两种窗片介质材料氧化铍与氧化铝的性能特点;通过实际制管后的热测数据证明,相同条件下窗片材料氧化铍比氧化铝对输出窗的功率容量的提高更显...
  • 作者: 任佳乐 任瑞康 张洪波 彭建中 徐磊 旷峰华 李自金
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2013年4期
    页码:  64-68
    摘要: 氧化铝陶瓷在成型、烧成以及机加工等过程中都会或多或少的产生一些微观缺陷,分析了几类常见微观缺陷,提出避免缺陷产生的相关措施.
  • 作者: 储爱民 刘昶 曲选辉 秦明礼 鲁慧峰
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2013年4期
    页码:  69-72
    摘要: 以氮化铝粉末为原料,添加5%Y2O3,通过注射成形工艺,制备出全致密、热导率为182 W/m·K的氮化铝陶瓷.研究了氮化铝陶瓷烧结过程中致密过程及组织变化,合理制订了复杂形状氮化铝陶瓷的烧结...
  • 作者: 何樵 储爱民 曲选辉 秦明礼 鲁慧峰
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2013年4期
    页码:  73-76
    摘要: 以硅溶胶(SiO2·nH2O)、葡萄糖(C6H12O6·H2O)、硝酸铝(Al(NO3)3)和尿素(CO(NH2)2)为原料,采用低温燃烧合成方法,制备出粒度细小、混合均匀的(Al2O3+S...
  • 作者: 刘燕文 孟明凤 徐振英 赵建东 郝保良
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2013年4期
    页码:  77-78
    摘要: 采用喷涂法在钼模具基底上沉积一层超细Al2O3,在H2气保护气氛下,经过高温烧结形成一层致密的α-Al2O3氧化膜.制备的模具结构尺寸精度较高,而且涂层氧化铝不与焊料浸润,克服了不锈钢模具配...
  • 作者: 高陇桥
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2013年4期
    页码:  79-83
    摘要: 本文叙述了陶瓷金属化技术的发展过程和玻璃相在金属化技术中的重要作用.讨论了几种主要金属化机理,提出了陶瓷中玻璃相和金属化层中玻璃相的相互关系.
  • 作者: 任慧 郝丽丽
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2013年4期
    页码:  84-87
    摘要: 通过对原子吸收光谱法测定铝合金中铅的不确定度的系统分析,阐述了测量结果不确定度主要来源于测量试液中铅的浓度、试液定容体积及样品质量产生的不确定度,并对这些分量进行了量化计算,最后计算出合成标...
  • 作者: 崔颖 蔡安富 陈新辉 黄亦工
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2013年4期
    页码:  88-91
    摘要: 本文采用两种不同的Mo粉处理工艺,将Mo粉中团聚体打开,获得粒度较小的Mo粉体,然后,找出适合处理后的Mo粉丝网印刷工艺.结果发现,Mo粉通过湿磨工艺处理后,D50可以降至1.78μm.用该...
  • 作者: 李景云 缑亚娥
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2013年4期
    页码:  92-94,98
    摘要: 本文通过分析95%氧化铝陶瓷产品烧成过程中物理化学变化以及在高温下致密化过程,拟订适合大型产品烧成的工艺参数,并通过试验验证,以实现控制大型产品开裂变形等缺陷.
  • 作者: 字张雄 秦春文
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2013年4期
    页码:  95-98
    摘要: 本文使用HFSS软件对X波段大功率耦合腔行波管的高频耦合系统进行模拟,探讨了各个参量对匹配的影响,并在实际的冷测中灵活调配,使某管型冷带内的匹配得到明显的改善,有效解决了增益波动大、带边振荡...
  • 作者: 刘彬
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2013年4期
    页码:  99-100,105
    摘要: 本文介绍了一款C波段宽带接收机保护器,并对该接收机保护器的设计方案和CST软件仿真过程进行了简要说明.
  • 作者: 贾晔
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2013年4期
    页码:  101-105
    摘要: 本文通过介绍反同轴高频(慢波)结构在正交场器件中的典型设计应用.试图为低成本正交场微波源高功率化找到一种新的实现方法,而不是一味地要求提高阴极的发射性能.同时探讨利用新型高次模(2π)腔体的...
  • 作者:
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2013年4期
    页码:  106
    摘要:

真空电子技术基本信息

刊名 真空电子技术 主编 廖复疆
曾用名
主办单位 北京真空电子技术研究所  主管单位 工业和信息化部
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1002-8935 CN 11-2485/TN
邮编 100015 电子邮箱 VETECH@163.com
电话 010-84352012 网址
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