氮化铝陶瓷直接覆铜基板界面空洞控制技术研究

• 作者: 赵东亮 高岭
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化铝陶瓷 直接覆铜 界面空洞
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 陶瓷金属封接和真空电子与专用金属材料分会年会专辑
• 页码范围: 44-47
• 页数: 4页
• 分类号: TB756
• 字数: 2513字
• 语种: 中文

摘要

氮化铝陶瓷直接覆铜基板是将铜箔在高温下直接键合到氮化铝陶瓷表面而制成的一种复合陶瓷基板,具有高导热性、高电绝缘性、大电流容量、高机械强度等特点,广泛应用于智能电网、动力机车、汽车电子等电力电子领域.本文从机理上分析了氮化铝覆铜基板界面空洞产生的原因,研究了影响界面空洞的主要技术参数,得出结论:氮化铝和无氧铜表面氧化层均匀性是影响界面空洞的主要因素；采用纯干氧气氛氧化氮化铝陶瓷可以在其表面形成致密氧化膜,有效减少界面空洞的产生；采用低氧含量高温氧化的方法氧化无氧铜后,有助于减少铜与氮化铝界面空洞；当氮化铝直接覆铜工艺的氧含量为5×10-4时,氮化铝覆铜基板界面空洞比例达到2％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高岭		3	7	2.0	2.0
2	赵东亮		2	7	2.0	2.0