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摘要:
本研究利用大电流高密度等离子体溅射沉积技术,在Al2O3和AlN陶瓷板的表面沉积不同的过渡层和铜层,经电镀将真空溅射铜层进行加厚,实现陶瓷基板金属化.通过界面结合强度测试,分析了不同过渡层对界面结合强度的影响;利用SEM、DTA、XRD等研究了直接覆铜陶瓷板截面形貌及在高温退火后的界面行为.结果表明,与无过渡层和AlOx过渡层相比Cr、Ti可大幅度提高界面粘附强度,在550℃退火后Cr和Ti在界面处和铜层发生合金化作用,甚至生成金属间化合物,Cr和Ti元素与Al2O3和AlN基体以及铜层具有强的相互作用,过渡层的引入可大幅度提高覆铜层和陶瓷的结合强度,从而有效提高陶瓷覆铜板的使用可靠性.
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文献信息
篇名 直接覆铜陶瓷板界面及其高温行为研究
来源期刊 真空电子技术 学科 工学
关键词 直接镀铜 陶瓷基板 陶瓷金属化
年,卷(期) 2016,(5) 所属期刊栏目 电子材料和封接、封装专辑
研究方向 页码范围 1-6
页数 6页 分类号 TB756
字数 2983字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 高克玮 110 613 13.0 19.0
2 庞晓露 27 38 3.0 4.0
3 杨会生 21 118 6.0 10.0
4 颜鲁春 7 15 3.0 3.0
5 张珊珊 2 4 1.0 2.0
6 李磊 1 3 1.0 1.0
7 李中正 1 3 1.0 1.0
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陶瓷基板
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真空电子技术
双月刊
1002-8935
11-2485/TN
大16开
北京749信箱7分箱
1959
chi
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