摘要:

高温条件下裂解碳化硅（SiC）单晶，在直径5 cm的4H-SiC（0001）面制备出单层石墨烯。利用光电化学刻蚀方法，使KOH刻蚀液与SiC发生反应，降低石墨烯与衬底之间的相互作用力，去掉原位生长过程中SiC衬底与石墨烯之间存在的缓冲层，获得准自由的双层石墨烯。首先通过对比不同的电流密度和光照强度，总结出电流密度为6 mA·cm?2、紫外灯与样品间距为3 cm时，石墨烯缓冲层的去除效率以及石墨烯质量皆为最佳。采用此优化后工艺处理的样品，拉曼光谱表明原位生长的缓冲层与衬底脱离，表现出准自由石墨烯的特性。X射线光电子能谱（XPS）C1s谱图中代表上层石墨烯与衬底Si悬键结合的S1、S2特征峰消失，即石墨烯缓冲层消失。通过分析刻蚀过程中的电化学曲线，提出了刻蚀过程的化学反应过程中的动态特性。

摘要:

本实用新型提供一种具有多个发散角的半导体激光照明模组，包括半导体激光器、照明模组底座、照明模组镜头、照明模组盖板、光束整形透镜和光斑匀化装置；所述半导体激光器固定在照明模组底座上，出光面前方固定照明模组镜头，照明模组镜头内部包含光束整形透镜和光斑匀化装置，照明模组盖板固定在照明模组底座的背面，对半导体激光器起保护作用。发散角度范围从5°-60°，每种发散角度都采用一支半导体激光器经过光束整形得到，多种发散角度的激光模组可以根据摄像机变焦过程中补光需要分别控制开启或同时开启，极大程度上配合市场变焦摄像机的使用，从而兼顾远近距离及大小角度多种照明模式，适用范围更广，监视图像更加清晰。此外，本实用新型结构简单，可靠性强，能够满足现今市场的需求。

摘要:

本发明涉及一种在SiC衬底上制备无缓冲层的单层石墨烯的方法。该方法包括在SiC衬底硅面进行氢刻蚀，形成规则的台阶形貌；通入氩气，进行石墨烯缓冲层的生长；将得到的表面只长有一层石墨烯缓冲层的SiC衬底通过氢气退火，氢原子插入到石墨烯缓冲层与SiC衬底之间，使石墨烯缓冲层成为单层石墨烯。本发明解决了SiC热解法中SiC衬底硅面生长石墨烯时所形成的缓冲层影响石墨烯迁移率的问题，同时得到了真正意义上的无缓冲层的单层石墨烯，可直接应用于射频器件。

摘要:

本发明涉及一种半导体激光器照明模组的光斑匀化装置，依次设置半导体激光器，微透镜，光学匀化片和平凸透镜；所述半导体激光器，微透镜，光学匀化片和平凸透镜位于同一水平直线上。由半导体激光器发出激光，照射到微透镜上，激光经过双面微透镜阵列后，先被微透镜中的第一组微透镜单元分裂为多束光，然后在第二组微透镜阵列中相互交叠，将光斑进行匀化；出射光束再经过光学匀化片进行双重匀化，有效避免了激光光束在通过第二层阵列时的干涉问题，使激光光束能量更加均匀；匀化后的光束最后经过平凸透镜，通过改变平凸透镜与光学匀化片之间的距离，可以调节出射光束的发散角，根据不同焦距的摄像机镜头进行匹配，应用于不同场合。

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本发明提供一种具有多个发散角的半导体激光照明模组，包括半导体激光器、照明模组底座、照明模组镜头、照明模组盖板、光束整形透镜和光斑匀化装置；所述半导体激光器固定在照明模组底座上，出光面前方固定照明模组镜头，照明模组镜头内部包含光束整形透镜和光斑匀化装置，照明模组盖板固定在照明模组底座的背面，对半导体激光器起保护作用。发散角度范围从5°-60°，每种发散角度都采用一支半导体激光器经过光束整形得到，多种发散角度的激光模组可以根据摄像机变焦过程中补光需要分别控制开启或同时开启，极大程度上配合市场变焦摄像机的使用，从而兼顾远近距离及大小角度多种照明模式，适用范围更广，监视图像更加清晰。此外，本发明结构简单，可靠性强，能够满足现今市场的需求。

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本发明涉及一种在SiC衬底上制备无缓冲层的单层石墨烯的方法。该方法包括在SiC衬底硅面进行氢刻蚀，形成规则的台阶形貌；通入氩气，进行石墨烯缓冲层的生长；将得到的表面只长有一层石墨烯缓冲层的SiC衬底通过氢气退火，氢原子插入到石墨烯缓冲层与SiC衬底之间，使石墨烯缓冲层成为单层石墨烯。本发明解决了SiC热解法中SiC衬底硅面生长石墨烯时所形成的缓冲层影响石墨烯迁移率的问题，同时得到了真正意义上的无缓冲层的单层石墨烯，可直接应用于射频器件。

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本实用新型涉及一种半导体激光器照明模组的光斑匀化装置，依次设置半导体激光器，微透镜，光学匀化片和平凸透镜；所述半导体激光器，微透镜，光学匀化片和平凸透镜位于同一水平直线上。由半导体激光器发出激光，照射到微透镜上，激光经过双面微透镜阵列后，先被微透镜中的第一组微透镜单元分裂为多束光，然后在第二组微透镜阵列中相互交叠，将光斑进行匀化；出射光束再经过光学匀化片进行双重匀化，有效避免了激光光束在通过第二层阵列时的干涉问题，使激光光束能量更加均匀；匀化后的光束最后经过平凸透镜，通过改变平凸透镜与光学匀化片之间的距离，可以调节出射光束的发散角，根据不同焦距的摄像机镜头进行匹配，应用于不同场合。