采用化学镀法对 TiH2粉末表面镀 Ni,制备 Ni/TiH2复合粉末。通过 X 射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、能谱分析(EDS)及差热分析(DSC/TG)对 Ni/TiH2复合粉末进行表征,探索 Ni 镀层的生长及作用机理,建立镀层在粉末表面的生长模型。结果表明:施镀温度为85℃时 Ni/TiH2复合粉末表面 Ni 层包覆完整,镀层均匀致密,Ni层厚度约为1.0~2.0μm;施镀温度低于65℃时施镀几乎无法进行,而施镀温度高于95℃时,镀层很不均匀,且容易脱落;镀层的生长机制遵循奥斯特瓦尔德(Ostwald ripening)机制;与包覆前 TiH2粉末相比,Ni/TiH2复合粉末的释氢反应开始温度由450℃上升至540℃。包覆层可降低 TiH2粉末和熔融铝的温度梯度,从而推迟开始释氢的时间。