摘要:

目的 探讨表观扩散系数(ADC)对子宫内膜癌与子宫粘膜下肌瘤鉴别诊断的价值.方法 对经手术病理证实的19例子宫内膜癌和7例子宫粘膜下肌瘤的ADC图像进行回顾性分析,全部病例均行扩散加权成像(DWI)、常规磁共振成像(MRI)平扫,17例子宫内膜癌和5例子宫粘膜下肌瘤行增强扫描,ADC值测定将感兴趣区(ROI)置于DWI呈高信号且在ADC图上呈相对低信号部位,取病灶最小ADC值,对同一病例于髂腰肌处以同样大小ROI测量3个ADC值,取其平均值.相对ADC值(rADC)取病灶最小ADC值与髂腰肌平均ADC值的比值,对两组病例的ADC值和rADC值分别行两独立样本近似t检验和t检验.结果 子宫内膜癌测得的最小ADC值范围为0.54~0.88×10-3 mm2/s[(0.72±0.09)×10-3 mm2/s],rADC值范围为0.36~0.68(0.55±0.10);子宫粘膜下肌瘤测得的最小ADC值范围为1.00~1.40×10-3mm2/s[(1.18±0.16)×10-3mm2/s],rADC值范围为0.61~1.12(0.92±0.17).子宫内膜癌与子宫粘膜下肌瘤最小ADC值范围没有重叠.子宫内膜癌与子宫粘膜下肌瘤间的最小ADC值及rADC值差异均有统计学意义(t值分别为-7.301、-6.925,均P=0.000).结论 ADC值的测量可以准确鉴别子宫内膜癌与子宫粘膜下肌瘤.

摘要:

[目的]探讨移动手持计算机设备(PDA)在临床护士给药安全中的应用效果.[方法]比较应用PDA前后护士在临床给药安全中准确率的情况.[结果]应用PDA后,临床护士给药差错率明显低于应用前,药名错误、给药途径错误发生率明显低于应用前.[结论]将PDA应用于临床给药安全中,可有效避免给药错误,防止护理差错的发生.

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本文报道了非线性光学晶体Ca4GdO(BO3)3(GdCOB)的垂直Bridgman法生长.已获得直径25mm的高质量单晶.生长界面处的纵向温度梯度维持在30～40℃/cm,生长速度0.2～0.8mm/h.GdCOB晶体为二维成核的层状生长机制,易出现(111)及(20)解理面.讨论了影响生长的因素.保证原料配比准确和混料充分,减小温度波动和测温误差等是成功生长GdCOB晶体的重要因素.

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[目的]探讨移动手持计算机设备(PDA)在临床护士给药安全中的应用效果.[方法]比较应用PDA前后护士在临床给药安全中准确率的情况.[结果]应用PDA后,临床护士给药差错率明显低于应用前,药名错误、给药途径错误发生率明显低于应用前.[结论]将PDA应用于临床给药安全中,可有效避免给药错误,防止护理差错的发生.

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本发明涉及一种锗酸镓锶晶体的坩埚下降法生长方法，属于单晶生长领域。特征在于：初始原料按Sr₃Ga₂Ge₄O₁₄的分子式均匀混合，在1130-1180℃预烧8-12小时，通过固相反应以去除CO₂；将取向确定的籽晶放在坩埚底部，再装入合成好的原料，然后将坩埚置于下降法生长炉中；在1400-1500℃以上熔化原料及籽晶顶部，生长界面温梯维持在30～40℃/cm，坩埚下降速度小于3mm/h。本方法温场稳定，工艺设备简单，操作方便，可将单只或多只坩埚放入下降炉内，同时生长不同形状和尺寸的单晶。

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本发明涉及一种新型弛豫铁电单晶铌锌酸铅-钛酸铅(PZNT)的两步法生长方法，特征在于：初始原料按(1-x)Pb(Zn_1/3Nb_2/3)O_3-xPbTiO₃(0＜x＜0.2)的化学组成称量并混匀，在830—870℃预烧，然后与PbO助熔剂研磨混合均匀，装入铂金坩埚内；然后事先设计好的具有通气系统的引下管内，在下降炉中加热熔化原料并保温10～96小时，通气并开始晶体生长；第一步晶体生长10～50mm后，停止通气和下降坩埚，让熔体回熔部分已生长的晶体；保持炉温、坩埚位置等参数不变的情况下，以残余晶体作为籽晶，开始第二步晶体生长，参数与第一步基本相同即可获得高质量的PZNT单晶体。本方法设备简单，操作方便，明显提高晶体的质量，且适合于批量生长。

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目的 探讨16层螺旋CT双期脑血管成像在诊断脑动静脉畸形中的临床应用和价值.方法 回顾性分析35例脑动静脉畸形的16层螺旋CTA及CTV表现.结果 动脉期CTA能较好地显示AVM的供血动脉、畸形血管团及部分早期引流静脉；静脉期CTV显示了AVM的供血动脉、畸形血管团和扩张的引流静脉.结论 16层螺旋CT双期血管造影能清晰显示脑动静脉畸形的影像特征,是诊断本病的可靠方法.

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本发明涉及一类新型压电单晶体及其坩埚下降生长方法。其特征在于：通过同族元素替代形成了的压电晶体，通式为Sr_3-xMe_xNbGa₃Si₂O₁₄，其中Me为Ca或Ba，x＝0.1-2.9；优先0.1≤x≤1.5，所述的生长方法是按Sr_3-xMe_xNbGa₃Si₂O₁₄化学计量比配料，均匀混合，在1150～1170℃预烧8～12小时，通过固相反应，合成多晶原料；将合成料装入底部事先放入籽晶的坩埚中，然后将坩埚置于下降法生长炉中，在1450～1480℃温度范围熔化原料及籽晶顶部，生长界面温梯维持在20～40℃/cm，坩埚下降速度小于3mm/h。可根据需要生长不同方向、形状和尺寸的压电单晶，具有工艺设备简单，操作方便，一炉多产等优点，适合于工业规模化晶体的生长或生产。

摘要:

本发明涉及第三代半导体材料ZnO晶体的通气坩埚下降生长方法，属于单晶生长领域。特征是：将初始原料ZnO(4N)与助熔剂按一定的摩尔比称量、配料并均匀混合，装入贵金属坩埚内；将坩埚置于事先设计好的具有通气或通水系统的保温陶瓷管内，在下降炉中加热熔化原料；待原料完全熔化后，通入气体或水并开始以小于2mm/h速率下降坩埚，待全部熔体凝固并冷却到室温后，可获得所需的ZnO单晶。本方法的特点在于，坩埚底部通入气体使坩埚局部过冷并快速形成晶核，从而能够生长出大尺寸ZnO晶体。本方法工艺设备简单，操作方便，可一炉生长多个晶体，有利于实现晶体生长的工业化。

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一种手工器具快脱装置，用于驱动一SDS钻头，包括：一套杆、一握套及一套环，该套杆轴向依序一体的延伸一第二延伸段及一套接段，该套接段具有一套接孔容置该SDS钻头，该握套装套该套接段，该套环可转动的套设该第二延伸段，该套环颜色依需求可任意变换，该套接孔内壁面凹设有一防污环槽，该防污环槽装设一防污扣件紧密贴附该SDS钻头内壁面，借此避免灰屑进入。