离子束增强沉积氮化硅膜的分析

• 作者: 徐春同 陈元儒
• 来源期刊: 薄膜科学与技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅 离子束增强沉积 薄膜分析
• 年，卷（期）: bmkxyjs_1991,（4）
• 页码范围: 1-7
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.24

摘要

在电子束蒸发沉积硅的同时用25KeV氮离子进行轰击，在GH37合金表面合成Si3N4膜，用IR、XRS、XRD、TEM和AES-PRO对膜的组分和结构进行综合分析，表明离子束增强沉积（IBED）积成的薄膜之化学式为Si3N4，膜的主要结构是无定形态，局部区域存在少量Si3N4、Si2N4O、SiO2晶体和多晶Si。膜和基体之间存在一个大约50nm的界面混合区。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈元儒		13	104	6.0	10.0
2	徐春同		1	0	0.0	0.0