等离子体聚合有机硅（HMDSN）薄膜及其特性研究

• 作者: 倪星元 华荫曾
• 来源期刊: 薄膜科学与技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 等离子体 聚合有机硅 薄膜
• 年，卷（期）: 1991,（4）
• 页码范围: 34-39
• 页数: 6页
• 分类号: O484.4

摘要

等离子体聚合有机化合物六甲基二硅胺烷（HMDSN）讨论了等离子体聚合有机硅薄膜聚合过程和有关机理，在高频等离子体聚合系统中合成的聚合条件是高频电源功率为100V，频率为5.4Hz，用电感偶合到真空放电管，氩（Ar)气和有机硅单体的比例为1：2。有机硅热玻璃基片上的聚合速率为2.5-5nm/min。聚合薄膜无色透明，折射率1.1；介电常数3.2；窠质损耗正切0.04，随温度而变化，电阻率为10^14Ω.cm。用红外吸收光谱检测表明薄膜分支少，聚合度高。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	倪星元	同济大学物理系	48	742	16.0	25.0
2	华荫曾	同济大学物理系	1	0	0.0	0.0