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RAPD技术重复性的影响因素
RAPD技术
重复性
影响因素
SUPREM-Ⅲ进行集成电路离子注入的工艺模拟
离子注入
沟道效应
工艺模拟
快速退火炉离子注入退火工艺设计
快速热退火
离子注入
硅片
铀表面离子注入碳改性层抗腐蚀性研究
离子注入
辅助沉积
腐蚀
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 离子注入均匀性重复性工艺研究
来源期刊 延河集成电路 学科 工学
关键词 半导体 离子注入 工艺 200MC型
年,卷(期) 1992,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 23-24
页数 2页 分类号 TN305.3
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研究主题发展历程
节点文献
半导体
离子注入
工艺
200MC型
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期刊影响力
延河集成电路
月刊
11-2071/TN
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出版文献量(篇)
54
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