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微量O2对SF6过热分解影响机理的同位素示踪分析
气体绝缘设备
SF6
过热分解
微量O2
同位素示踪
利用量子化学研究制备硅硼陶瓷的CVD反应热力学
硅硼陶瓷
CVD
热力学计算
气相反应
基于SiCl4/SF6的GaAs/AlAs ICP选择性干法刻蚀
GaAS/AlAs
ICP
选择性干法刻蚀
SiCl4/SF6
热力学模型对KCI-K2SO4-H2O体系溶解度的预测
热力学模型
溶解度
KCl-K2SO4-H2O体系
水活度
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 用于描述CVD工艺中SiCl4 O2 SF6系统平衡的热力学模型
来源期刊 光纤通信技术 学科 工学
关键词 光纤 制造 工艺 CVD 热力学模型
年,卷(期) 1992,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 55-60
页数 6页 分类号 TQ342.82
字数 语种 中文
DOI
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1992(0)
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研究主题发展历程
节点文献
光纤
制造
工艺
CVD
热力学模型
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
光纤通信技术
月刊
武汉市洪山区邮科院路88号
出版文献量(篇)
1130
总下载数(次)
10
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