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亚微米BiCMOS工艺技术
亚微米BiCMOS工艺技术
作者:
何小乐
洛斯
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
亚微米
铋
CMOS
工艺技术
双极晶体管
摘要:
BiCMOS是双极速度和驱动能力与CMOS的高密度和低功耗的结合。考虑到功耗原因,BiCMOS器件主要以CMOS为主,因此,双极器件通常并入CMOS核心工艺流程。当器件尺寸减小时,双极和CMOS的技术显得愈发相似。本文列举了0.8μm和0.5μm的技术论点。BiCOS电路与CMOS相比,成本稍高但其性能提高一倍。
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文献信息
篇名
亚微米BiCMOS工艺技术
来源期刊
上海微电子技术和应用
学科
工学
关键词
亚微米
铋
CMOS
工艺技术
双极晶体管
年,卷(期)
1995,(2)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
54-56
页数
3页
分类号
TN322.803
字数
语种
DOI
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引文网络
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1995(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
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节点文献
亚微米
铋
CMOS
工艺技术
双极晶体管
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
上海微电子技术和应用
主办单位:
出版周期:
季刊
ISSN:
1006-9453
CN:
31-1239/TN
开本:
出版地:
上海市胶州路397号 上海半导体器件研究
邮发代号:
创刊时间:
语种:
出版文献量(篇)
435
总下载数(次)
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