基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
BiCMOS是双极速度和驱动能力与CMOS的高密度和低功耗的结合。考虑到功耗原因,BiCMOS器件主要以CMOS为主,因此,双极器件通常并入CMOS核心工艺流程。当器件尺寸减小时,双极和CMOS的技术显得愈发相似。本文列举了0.8μm和0.5μm的技术论点。BiCOS电路与CMOS相比,成本稍高但其性能提高一倍。
推荐文章
亚微米级铜粉的制备技术综述
亚微米铜粉
制备工艺
应用
冲击结晶技术制备亚微米TATB粒子的研究
亚微米TATB
冲击结晶技术
粒子粒径
0.5μm高速BiCMOS的工艺研究
BiCMOS工艺
SIC技术
Si3N4/SiO2复合侧墙
超薄内基区
亚微米-纳米纤维的技术进展及应用现状
亚微米-纳米纤维
静电纺丝
杂化工艺
离心纺丝
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 亚微米BiCMOS工艺技术
来源期刊 上海微电子技术和应用 学科 工学
关键词 亚微米 CMOS 工艺技术 双极晶体管
年,卷(期) 1995,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 54-56
页数 3页 分类号 TN322.803
字数 语种
DOI
五维指标
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1995(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
亚微米
CMOS
工艺技术
双极晶体管
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
上海微电子技术和应用
季刊
1006-9453
31-1239/TN
上海市胶州路397号 上海半导体器件研究
出版文献量(篇)
435
总下载数(次)
3
总被引数(次)
0
论文1v1指导