亚微米硅外延生长特性研究

• 作者: 王向武 赵仲镛
• 来源期刊: 薄膜科学与技术
• 学科: 工学
• 关键词: 亚微米 硅 外延生长 半导体器件
• 年，卷（期）: 1995,（1）
• 页码范围: 20-24
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.120

摘要

本文利用附面层模型，研究了亚性米Ｓｉ外延生长中，生长速率随时间的变化规律，分析不同不的硅源及不同的生长条件对其的影响。