用于先进CMOS电路的150mm硅外延片外延生长

• 作者: 林兰英 王启元 蔡田海 郁元桓
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅 外延生长
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 426-430
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 495字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.05.003

摘要

随着大规模和超大规模集成电路特征尺寸向亚微米、深亚微米发展,下一代集成电路对硅片的表面晶体完整性和电学性能提出了更高的要求.与含有高密度晶体原生缺陷的硅抛光片相比,硅外延片一般能满足这些要求.该文报道了应用于先进集成电路的150mm P/P+CMOS硅外延片研究进展.在PE2061硅外延炉上进行了P/P+硅外延生长.外延片特征参数,如外延层厚度、电阻率均匀性,过渡区宽度及少子产生寿命进行了详细表征.研究表明:150mm P/P+CMOS硅外延片能够满足先进集成电路对材料更高要求

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林兰英	中国科学院半导体研究所	33	145	7.0	10.0
2	王启元	中国科学院半导体研究所	10	77	4.0	8.0
3	蔡田海	中国科学院半导体研究所	1	0	0.0	0.0
4	郁元桓	中国科学院半导体研究所	5	14	3.0	3.0