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CMOS硅外延技术与硅外延片
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摘要：
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硅基锗硅驰豫衬底的外延生长
硅基锗硅薄膜
驰豫衬底
外延生长
锗硅外延工艺优化对28nm PMOS器件性能的改善
锗硅外延
薄膜堆叠层
器件性能
PMOS器件
用于先进CMOS电路的150mm硅外延片外延生长
硅
外延生长
CMOS集成电路用φ150-200mm外延硅材料
硅
外延生长
CMOSEEACC:2520C
0520
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中国科技成果
主办单位：
中国科学技术信息研究所(ISTIC)
出版周期：
半月刊
ISSN：
1009-5659
CN：
11-4484/N
开本：
出版地：
北京复兴路15号245室中国科技成果编辑部
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语种：
chi
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