多晶硅、单晶硅同步外延研究

• 作者: 李思渊 王永顺 胡冬青
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 同步外延 成核 化学气相淀积
• 年，卷（期）: 2004,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1381-1385
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 1485字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.11.007

摘要

介绍了多晶硅、单晶硅的同步外延.采用两步外延工艺,研究了硅烷流量、外延时间以及外延温度对外延质量参数α的影响.硅烷流量大、初始诱生时间短,则单晶硅条宽,多晶硅横向蔓延弱,但外延层质量可能较差.较优的条件是:硅烷诱生生长流量为13.1～17.5sccm,正常生长流量为7.0～7.88sccm,初始诱生时间为30～50s.温度影响较复杂,当温度低于980℃时,单晶硅条宽随温度增加而增加,在980℃附近达到最大,随后随温度增加单晶条宽降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡冬青	兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所	7	67	5.0	7.0
2	李思渊	兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所	25	113	7.0	9.0
3	王永顺	兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所	8	67	5.0	8.0