CMOS集成电路用φ150-200mm外延硅材料

• 作者: 何自强 何龙珠 林兰英 王启元 王建华 蔡田海 邓惠芳 郁元桓 高秀峰 龚义元
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅 外延生长 CMOSEEACC:2520C 0520
• 年，卷（期）: 2001,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1538-1542
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 3597字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.12.012

摘要

报道了Ф150mm CMOS硅外延材料的研究开发及集成电路应用成果,对Ф200mm P/P硅外延材料进行了初步探索研究.Ф150mm P/P+硅外延片实现了批量生产,并成功应用于集成电路生产线,芯片成品率大于80%.硅外延片的参数指标能满足集成电路制造要求.