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PECVD氮化硅的SF6等离子体活性离子蚀刻
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文献信息
| 篇名 | PECVD氮化硅的SF6等离子体活性离子蚀刻 | ||
| 来源期刊 | 等离子体应用技术快报 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | 氮化硅 PECVD 半导体器件 离子蚀刻 | ||
| 年，卷（期） | 1995,（3） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 2-4 | |
| 页数 | 3页 | 分类号 | TN305.2 |
| 字数 | 语种 | ||
| DOI | |||
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氮化硅
PECVD
半导体器件
离子蚀刻
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期刊影响力
等离子体应用技术快报
主办单位：
核工业西南物理研究院
出版周期：
月刊
ISSN：
CN：
开本：
出版地：
四川省成都市432信箱
邮发代号：
创刊时间：
语种：
出版文献量（篇）
864
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