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ECR源Cl2等离子体蚀刻Si引起的损伤特性
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文献信息
| 篇名 | ECR源Cl2等离子体蚀刻Si引起的损伤特性 | ||
| 来源期刊 | 等离子体应用技术快报 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | 氯 电子自旋共振 等离子体蚀刻 硅集成电路 | ||
| 年，卷（期） | 1995,（4） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 16-17 | |
| 页数 | 2页 | 分类号 | TN405.982 |
| 字数 | 语种 | ||
| DOI | |||
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研究主题发展历程
节点文献
氯
电子自旋共振
等离子体蚀刻
硅集成电路
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
等离子体应用技术快报
主办单位：
核工业西南物理研究院
出版周期：
月刊
ISSN：
CN：
开本：
出版地：
四川省成都市432信箱
邮发代号：
创刊时间：
语种：
出版文献量（篇）
864
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