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MCZ硅的氧碳含量及电阻率均匀性
MCZ硅的氧碳含量及电阻率均匀性
作者:
卢宁
黄永谦
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
MCZ
硅
氧含量
碳含量
电阻率
均匀性
摘要:
在国产TDR-50AC单晶炉中使用外加磁场生长φ100mmP型单晶硅锭,利用扩展电阻探针技术及红外光谱术研究其O,C含量及电阻率均匀性随磁场强度的变化。
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文献信息
篇名
MCZ硅的氧碳含量及电阻率均匀性
来源期刊
上海微电子技术和应用
学科
工学
关键词
MCZ
硅
氧含量
碳含量
电阻率
均匀性
年,卷(期)
1996,(1)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
4-8
页数
5页
分类号
TN304.12
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1996(0)
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硅
氧含量
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均匀性
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研究来源
研究分支
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期刊影响力
上海微电子技术和应用
主办单位:
出版周期:
季刊
ISSN:
1006-9453
CN:
31-1239/TN
开本:
出版地:
上海市胶州路397号 上海半导体器件研究
邮发代号:
创刊时间:
语种:
出版文献量(篇)
435
总下载数(次)
3
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