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过热的中性束蚀刻
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摘要：
平均平动能量为４．８ｅＶ的过热氟原子的脉冲束已经用来证明硅的各向异性蚀刻。在１．４Ｈｚ工作下，距离脉冲束源为３０ｃｍ的地方已测得Ｓｉ的室温蚀刻率为３００Ａ／ｍｉｎ。在单碰撞条件下，对酚醛掩模的Ｓｉ器件的室温蚀刻已达到１４％，而没有可探测出的掩模腐
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文献信息
| 篇名 | 过热的中性束蚀刻 | ||
| 来源期刊 | 国外核聚变与等离子体应用 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | 中性束 蚀刻 半导体器件 蚀刻 基蚀 | ||
| 年，卷（期） | 1996,（4） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 66-71 | |
| 页数 | 6页 | 分类号 | TN405.98 |
| 字数 | 语种 | ||
| DOI | |||
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研究主题发展历程
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中性束
蚀刻
半导体器件
蚀刻
基蚀
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相关学者/机构
期刊影响力
国外核聚变
主办单位：
四川省核学会
出版周期：
双月刊
ISSN：
CN：
开本：
出版地：
四川省成都市432信箱
邮发代号：
创刊时间：
语种：
出版文献量（篇）
728
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