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摘要:
本文对四探针测试半导体薄层电阻关于边缘修正计算的各种理论及方法做了总结,重点描述了一种有限元法(FEM)。这种方法对任意形状的样品和任意放置探针具有同样简单和计算通用的特点,特别是对微区测试方法的改进以及确定好的微区测试结构提供了理论依据。更多还原
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文献信息
篇名 四探针测试技术中边缘修正的有关方法
来源期刊 半导体杂志 学科 工学
关键词 四探针 薄层电阻 边缘修正 有限元法 集成电路
年,卷(期) 1997,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 35-42
页数 8页 分类号 TN407
字数 语种
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 孙以材 河北工业大学电子工程系 117 1247 18.0 31.0
2 石俊生 云南师范大学物理系 58 491 14.0 19.0
传播情况
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1997(0)
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研究主题发展历程
节点文献
四探针
薄层电阻
边缘修正
有限元法
集成电路
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体杂志
季刊
1005-3077
12-1134/TN
16开
天津市河西区陈塘庄岩峰路
1976
chi
出版文献量(篇)
478
总下载数(次)
1
总被引数(次)
1404
论文1v1指导