GaAs低能Si^＋及SiF^＋离子注入研究

• 作者: 关安民 沈鸿烈
• 来源期刊: 上海微电子技术和应用
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓 离子注入 硅 氟化硅
• 年，卷（期）: 1997,（1）
• 页码范围: 19-22
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.23

摘要

本文对３０ｋｅｖ Ｓｉ＾＋和分子离子ＳｉＦ＾＋注入半绝缘ＧａＡｓ的行为进行了研究对比。注入Ｓｉ＾２＋样品的Ｓｉ原子纵向分布与相同条件下用ＳＩＣＴ模拟程序理论计算出的分布相一致。经灯光９００℃１０″ＲＴＡ，电激活率可达６０％，电化学Ｃ－Ｖ测得的载流子纵向分布与注入态ＳＩＭＳ结果相同，可以获得近０．２μｍ的ＧａＡｓ有源层。而注入分子离子ＳｉＦ＾＋样品，虽注入层较浅，但灯光退火后，电激活率很低。因此，用

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈鸿烈	中国科学院上海冶金研究所	8	20	2.0	4.0
2	关安民	中国科学院上海冶金研究所	1	0	0.0	0.0