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摘要:
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深亚微米工艺下互连线的串扰建模
深亚微米
互连线
耦合
串扰
0.5μm高速BiCMOS的工艺研究
BiCMOS工艺
SIC技术
Si3N4/SiO2复合侧墙
超薄内基区
亚微米级TATB的制备工艺条件对其粒径的影响
材料科学
亚微米级TATB
溶剂-非溶剂法
能量输出
制备
冲击结晶技术制备亚微米TATB粒子的研究
亚微米TATB
冲击结晶技术
粒子粒径
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 试析亚微米领域中的BiCMOS工艺
来源期刊 上海微电子技术和应用 学科 工学
关键词 集成电路 亚微米 CMOS
年,卷(期) 1998,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 40-47
页数 8页 分类号 TN405
字数 语种
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘文俊 中国华晶电子集团公司技术支援中心 2 7 1.0 2.0
传播情况
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1998(0)
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研究主题发展历程
节点文献
集成电路
亚微米
CMOS
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
上海微电子技术和应用
季刊
1006-9453
31-1239/TN
上海市胶州路397号 上海半导体器件研究
出版文献量(篇)
435
总下载数(次)
3
总被引数(次)
0
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