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Ga阶梯分布改善快速晶闸管耐压特性
Ga阶梯分布改善快速晶闸管耐压特性
作者:
裴素华
赵善麒
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
阶梯分布
耐压特性
晶闸管
掺杂
摘要:
利用开管扩Ga系统,分段控制掺杂量,使杂质Ga在硅中形成阶梯形分布,用于快速晶曾管的研制,理论分析与测试结果表明,器件阻断耐压值比原高分布提高200V左右,且通态特性和动态特性保持优良。实验证明,Ga的阶梯分布是的晶闸管后条新途径。
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文献信息
篇名
Ga阶梯分布改善快速晶闸管耐压特性
来源期刊
半导体杂志
学科
工学
关键词
阶梯分布
耐压特性
晶闸管
掺杂
年,卷(期)
bdtzz_1998,(4)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
30-33
页数
4页
分类号
TN340.53
字数
语种
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
裴素华
山东师范大学半导体研究所
27
70
6.0
7.0
2
赵善麒
2
0
0.0
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传播情况
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引文网络
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1997(2)
参考文献(2)
二级参考文献(0)
1998(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
阶梯分布
耐压特性
晶闸管
掺杂
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体杂志
主办单位:
电子部天津电子材料研究所
天津市电子学会
出版周期:
季刊
ISSN:
1005-3077
CN:
12-1134/TN
开本:
16开
出版地:
天津市河西区陈塘庄岩峰路
邮发代号:
创刊时间:
1976
语种:
chi
出版文献量(篇)
478
总下载数(次)
1
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