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摘要:
利用开管扩Ga系统,分段控制掺杂量,使杂质Ga在硅中形成阶梯形分布,用于快速晶曾管的研制,理论分析与测试结果表明,器件阻断耐压值比原高分布提高200V左右,且通态特性和动态特性保持优良。实验证明,Ga的阶梯分布是的晶闸管后条新途径。
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 Ga阶梯分布改善快速晶闸管耐压特性
来源期刊 半导体杂志 学科 工学
关键词 阶梯分布 耐压特性 晶闸管 掺杂
年,卷(期) bdtzz_1998,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 30-33
页数 4页 分类号 TN340.53
字数 语种
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 裴素华 山东师范大学半导体研究所 27 70 6.0 7.0
2 赵善麒 2 0 0.0 0.0
传播情况
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引文网络
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二级参考文献  (0)
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1997(2)
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1998(0)
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研究主题发展历程
节点文献
阶梯分布
耐压特性
晶闸管
掺杂
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体杂志
季刊
1005-3077
12-1134/TN
16开
天津市河西区陈塘庄岩峰路
1976
chi
出版文献量(篇)
478
总下载数(次)
1
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