Ga阶梯分布改善快速晶闸管耐压特性

• 作者: 裴素华 赵善麒
• 来源期刊: 半导体杂志
• 学科: 工学
• 关键词: 阶梯分布 耐压特性 晶闸管 掺杂
• 年，卷（期）: bdtzz_1998,（4）
• 页码范围: 30-33
• 页数: 4页
• 分类号: TN340.53

摘要

利用开管扩Ｇａ系统，分段控制掺杂量，使杂质Ｇａ在硅中形成阶梯形分布，用于快速晶曾管的研制，理论分析与测试结果表明，器件阻断耐压值比原高分布提高２００Ｖ左右，且通态特性和动态特性保持优良。实验证明，Ｇａ的阶梯分布是的晶闸管后条新途径。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	裴素华	山东师范大学半导体研究所	27	70	6.0	7.0
2	赵善麒		2	0	0.0	0.0