半导体杂志期刊
出版文献量(篇)
478
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1

半导体杂志

主办单位:
电子部天津电子材料研究所 天津市电子学会
ISSN:
1005-3077
CN:
12-1134/TN
出版周期:
季刊
邮编:
300192
地址:
天津市河西区陈塘庄岩峰路
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  • 作者: 张济龙
    刊名: 半导体杂志
    发表期刊: 1998年2期
    页码:  1-3
    摘要: 通过几组对比实验,揭示了聚酰亚胺、四甲基氢氧化胺对Si-SiO2界面的影响:聚酰亚胺在Si-SiO2界面上引入正电荷,四甲基氢氧化胺则在Si-SiO2界面上引入负电荷。
  • 作者: 李先文 黄强
    刊名: 半导体杂志
    发表期刊: 1998年2期
    页码:  4-7
    摘要: 用硅钨酸修饰离子敏感场效应晶体管,制成药物敏感场效应晶体管(OrugFET)。该传感器对一些药物有良好的响应,用其分析药物制剂的含量,结果和药典方法相一致。
  • 作者: 李长健 樊俊义
    刊名: 半导体杂志
    发表期刊: 1998年2期
    页码:  8-10
    摘要: 通过对CIS膜喇曼谱的研究,找到膜的生长条件,组份比和膜的结构之间的关系。我们在实验中,用不同组份的CuInSe2膜进行喇曼谱的测量,发现了与Yamanaka所得到的不尽一致的结果。
  • 作者: 刘淑平 贾跃虎
    刊名: 半导体杂志
    发表期刊: 1998年2期
    页码:  11-13
    摘要: 对GeSi合金的等离子色散效应进行了理论分析与计算。
  • 作者: 刘红 彭景翠
    刊名: 半导体杂志
    发表期刊: 1998年2期
    页码:  14-18
    摘要: 对A3C60(或A2BC60)(A,B=Li,Na,K,Rb,Cs)化合物的晶格常数和超导转变温度分析比较,表明:在四面体空隙中心的碱金属是决定晶格常数的主要因素;在四面体空隙中心的碱金属与...
  • 作者: 朱长纯 袁寿财
    刊名: 半导体杂志
    发表期刊: 1998年2期
    页码:  19-33
    摘要: 对微电子技术50年发展的风雨历程作了简要回顾,着重叙述了IC近年来设计和工艺技术上的进步,展望了IC技术的未来发展。
  • 作者: 孙以材 范兆书
    刊名: 半导体杂志
    发表期刊: 1998年2期
    页码:  34-42
    摘要: 对压力传感器芯片的各种封装技术作了比较和讨论,指出它们的优缺点和适用场合。还对各种封接键合材料的特性作了概括。
  • 作者: 张观明 王琼
    刊名: 半导体杂志
    发表期刊: 1998年2期
    页码:  43-48
    摘要: 反应离化团束沉积技术是在离化团束沉积技术基础上加入了反应材料。本文讨论了簇团的产生、离化、加速,成膜的机制,及其在薄膜制备中的应用。
  • 作者: 李文臣 陆彤
    刊名: 半导体杂志
    发表期刊: 1998年2期
    页码:  49-53
    摘要: 本文详细阐述了Z2000芯片在发射端进行PN序列码扩频和在接收端利用PN匹配滤波器等实现PN序列码解扩的过程及相关处理。
  • 作者:
    刊名: 半导体杂志
    发表期刊: 1998年2期
    页码:  54-55
    摘要: 倒装———锡球栅列封装介绍倒装(FlipChip)技术为IBM公司于1964年所提出的一种新型封装技术。原始的设计为将巳长上C4凸块的晶片翻转连接于陶瓷基板,称为C4工艺(Controled...

半导体杂志基本信息

刊名 半导体杂志 主编 孙膺九
曾用名
主办单位 电子部天津电子材料研究所 天津市电子学会  主管单位 天津市科委
出版周期 季刊 语种
chi
ISSN 1005-3077 CN 12-1134/TN
邮编 300192 电子邮箱
电话 022-236153 网址
地址 天津市河西区陈塘庄岩峰路

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