RTCVD工艺制备poly-si薄膜太阳电池的研究

• 作者: 何少琪 寥显伯 李仲明 潘广勤 王文静 盛殊然 赵玉文 邓礼生
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅薄膜 太阳电池 快速热化学气相沉积
• 年，卷（期）: 1998,（1）
• 页码范围: 0
• 分类号: TK5
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-0096.1998.01.006

摘要

报道了快速热化学气相沉积(RTCVD)工艺制备多晶硅(poly-si)薄膜及电池的实验和结果.采用SiH2CL2作为原料气体,衬底温度为1030℃时,薄膜的生长速率为10nm/s.发现薄膜的平均晶粒度及载流子迁移率与衬底温度和材料有关.用该薄膜在未抛光重掺杂磷的硅衬底上制备1cm2的p+n结样品电池,无减反射涂层,其转换效率为4.54%(AM1.5,100mW/cm2,25℃).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王文静		35	350	10.0	18.0
2	何少琪		2	11	2.0	2.0
3	李仲明		7	26	3.0	5.0
4	赵玉文		13	262	5.0	13.0
5	寥显伯	中国科学院半导体研究所国家表面物理实验室	1	3	1.0	1.0
6	盛殊然	中国科学院半导体研究所国家表面物理实验室	1	3	1.0	1.0
7	邓礼生	中国科学院半导体研究所国家表面物理实验室	1	3	1.0	1.0
8	潘广勤	中国科学院半导体研究所国家表面物理实验室	1	3	1.0	1.0