面内磁场和直流偏磁场共同作用下第Ⅱ类哑铃畴的稳定性

• 来源期刊: 南开大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 石榴石磁泡膜 垂直布洛赫线 硬磁畴 第Ⅱ类哑铃畴
• 年，卷（期）: 1998,（3）
• 页码范围: 50-54
• 页数: 5页
• 分类号: O482.51
• 语种: 中文

摘要

实验研究了面内磁场Hip对处于直流偏磁场Hb作用下的第Ⅱ类哑铃畴(ⅡD)的稳定性的影响.发现当Hb小于阈值(Hb)tb时,使ⅡD向其它种类硬磁畴或软泡转变的临界面内磁场不随Hb而改变;当Hb大于(Hb)th时,临界面内磁场开始下降.