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摘要:
为有效地提高超辐射输出功率,满足超辐射发光管应用领域不断扩大的需要,提出了超辐射发光管与半导体光放大器单片集成的思想,并采用AlGaAs单量子阱、增益导引的氧化物条形结构,对该集成器件进行了初步研制.实验结果表明,这种集成器件可有效地提高超辐射输出功率,有望成为新一代大功率超辐射光源.
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电磁兼容性
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 一种新型半导体超辐射集成光源
来源期刊 高技术通讯 学科 工学
关键词 超辐射发光管 半导体光放大器 集成光源
年,卷(期) 1998,(1) 所属期刊栏目 研究通讯
研究方向 页码范围 5-7
页数 3页 分类号 TN91
字数 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1002-0470.1998.01.002
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2001(1)
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研究主题发展历程
节点文献
超辐射发光管
半导体光放大器
集成光源
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
高技术通讯
月刊
1002-0470
11-2770/N
大16开
北京市三里河路54号
82-516
1991
chi
出版文献量(篇)
5099
总下载数(次)
14
总被引数(次)
39217
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