AlN陶瓷基板在空气中的热氧化行为探讨

• 作者: 岳瑞峰 王佑祥 陈春华
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化铝 陶瓷 热氧化 二次离子质谱
• 年，卷（期）: 1998,（5）
• 页码范围: 565-570
• 分类号: TQ17
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.1998.05.003

摘要

利用二次离子质谱(SIMS)并结合X射线衍射分析(XRD)研究了AlN陶瓷基板在850-1 100 ℃空气中退火时的初始氧化行为. 结果表明,未退火AlN陶瓷基板表面区存在很薄的富氧层. 在退火10 min的条件下,随着退火温度的增加,富氧层迅速增厚. 在1 100 ℃退火20 min的条件下,AlN陶瓷基板表面区有连续的氧化层生成. 最后,结合化学热力学,探讨了AlN陶瓷基板表面的初始氧化机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	岳瑞峰	中国科学院表面物理国家重点实验室和半导体研究所	3	18	3.0	3.0
2	王佑祥	清华大学微电子学研究所	1	12	1.0	1.0
3	陈春华	中国科学院表面物理国家重点实验室和半导体研究所	22	244	8.0	15.0