MBE生长的HgCdTe材料B离子注入特性研究

• 作者: 何力 姬荣斌 方维政 杨建荣 陈新强 黄根生
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: MBE HgCdTe 剥层霍耳测量 红外透射光谱
• 年，卷（期）: 1999,（1）
• 页码范围: 19-22
• 页数: 4页
• 分类号: TN2
• 字数: 1540字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.1999.01.003

摘要

用剥层霍耳测量分析了MBE生长HgCdTe薄膜的B离子注入的电学特性,测量了薄膜材料的载流子浓度和迁移率分布.当剥层腐蚀到结区,结区增透引起红外透射光谱的峰值提高.