二氧化钒薄膜在α-Al2O3衬底上的外延生长及其金属-半导体相变特性研究

• 作者: 吴召平 方平安
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 二氧化钒 相变 极图 外延
• 年，卷（期）: 1999,（5）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 823-827
• 分类号: O484
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.1999.05.020

摘要

利用XRD及XRD极图技术表征了用激光剥离技术生长的VO2薄膜. 结果表明:在衬底温度为500℃,氧气偏压6.67Pa的条件下,在α-Al2O3(ll0)衬底上能实现VO2的二维外延生长. 薄膜的结构除了与沉积工艺有关外,还和衬底的取向密切相关. 在α-Al2O3(110)衬底上,定向生长的(100)VO2在Millar指数<5时,除了[010]以外,不存在其他晶格矢量与衬底相匹配,从而不可能实现三维单晶薄膜的外延生长. 电学特性的测试结果显示,在温度为65℃左右,VO2薄膜出现相变,薄膜的电阻率变化达4个数量级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方平安	中国科学院上海硅酸盐研究所	6	145	4.0	6.0
2	吴召平	中国科学院上海硅酸盐研究所	10	235	7.0	10.0