硅基二氧化钒相变薄膜电学特性研究?

• 作者: 岐业 杨青慧 毛淇 熊瑛 田伟 荆玉兰 陈智
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 二氧化钒 电致相变 硅基片 氧化铝
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 017102-1-017102-5
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.64.017102

摘要

本文以原子层沉积超薄氧化铝(Al2 O3)为过渡层,采用射频反应磁控溅射法在硅半导体基片上制备了颗粒致密并具有(011)择优取向的二氧化钒(VO2)薄膜.该薄膜具有显著的绝缘体—金属相变特性,相变电阻变化超过3个数量级,热滞回线宽度约为6?C.基于VO2薄膜构建了平面二端器件并测试了不同温度下I-V曲线,观测到超过2个数量级的电流跃迁幅度,显示了优越的电致相变特性.室温下电致相变阈值电压为8.6 V,电致相变弛豫电压宽度约0.1 V.随着温度升高到60?C,其电致相变所需要的阈值电压减小到2.7 V.本实验制备的VO2薄膜在光电存储、开关、太赫兹调控器件中具有广泛的应用价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨青慧	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	36	167	7.0	11.0
2	陈智	电子科技大学通信抗干扰技术国家级重点实验室	25	260	9.0	15.0
3	岐业	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	5	47	4.0	5.0
4	田伟	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	5	21	2.0	4.0
5	熊瑛	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	16	1.0	1.0
6	毛淇	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	16	1.0	1.0