精确确定半导体材料临界点的能量值

• 作者: 张淑芝 张燕峰 连洁
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体材料 椭圆偏振光谱 临界点 阈值能量
• 年，卷（期）: 1999,（1）
• 所属期刊栏目: 科研论文
• 页码范围: 53-57
• 页数: 5页
• 分类号: TN301|TN304
• 字数: 3516字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.1999.01.015

摘要

分析表明波长调制反射谱的实质,是介电函数对能量的一级微商.导出了弱电场调制反射谱与介电函数对能量的三级微商成正比,将MOCVD方法生长的GaInP以及掺Si和掺Zn三个样品,用椭偏光谱法测量得到可见光区的介电函数谱, 并求其一级和三级微商谱.将用于分析电反射谱的三点法推广用于分析介电函数的一级和三级微商谱,得到波长调制和弱电场调制反射谱的实验结果,并与介电函数谱的结果加以比较,使灵敏度和分辨率有很大提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	连洁		33	143	7.0	9.0
2	张淑芝		8	14	3.0	3.0
3	张燕峰		2	0	0.0	0.0