反应淀积氮化铝薄膜及其性质的研究

• 作者: 丘军林 汪洪海 郑启光
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 物理学
• 关键词: 准分子激光 反应淀积 AlN薄膜
• 年，卷（期）: 1999,（1）
• 所属期刊栏目: 激光应用
• 页码范围: 89-92
• 分类号: O43
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.1999.01.020

摘要

实验使用脉冲激光熔蚀金属铝靶,使溅射的物质粒子和真空室中的氮气反应以淀积氮化铝(AlN)薄膜,淀积时引入氮气直流放电以促使Al和N发生完全反应制备高质量符合化学计量比的AlN薄膜.讨论了脉冲能量密度、基底温度、气体放电对所沉积薄膜组织结构的影响.实验结果表明,当DE=1.0 J*cm-2,PN2=13.333 kPa,Tsub=200℃,V=650 V,f=5 Hz,dS-T=4 cm时,高质量的AlN薄膜被成功地沉积于Si(100)基片上.分析表明薄膜是具有高取向性的AlN(100)多晶膜,薄膜的能带间隙约为6.2 eV,其电阻率和击穿电场分别为2×1013 Ω*cm和3×106 V*cm-1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑启光	华中理工大学激光技术国家重点实验室	9	170	6.0	9.0
2	汪洪海	华中理工大学激光技术国家重点实验室	4	55	4.0	4.0
3	丘军林	华中理工大学激光技术国家重点实验室	9	75	5.0	8.0