PbZr0.53Ti0.47O3/SiO2/Si复合薄膜的取向生长及铁电性研究

• 作者: 林媛 许波 赵柏儒 陈金松
• 来源期刊: 低温物理学报
• 学科: 物理学
• 年，卷（期）: 1999,（1）
• 页码范围: 64-69
• 分类号: O48
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3258.1999.01.013

摘要

利用超薄的SiO2做缓冲层,用脉冲激光沉积法在Si(100)上制备了具有良好铁电性的高度(100)取向的PZT薄膜.通过对不同条件下在SiO2/Si(100)上生长的PZT薄膜的研究,分析了SiO2厚度、沉积温度、退火时间对PZT性能的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林媛	中科院物理所超导实验室	1	1	1.0	1.0
5	许波	中科院物理所超导实验室	1	1	1.0	1.0
6	赵柏儒	中科院物理所超导实验室	1	1	1.0	1.0
7	陈金松	中国科技大学物理系	1	1	1.0	1.0