硅-硅直接键合界面上SiO2的非稳定性

• 作者: 何进 王新 陈星弼
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅片直接键合 非化学计量比的SiO2 界面自由能 类球形小岛
• 年，卷（期）: 1999,（5）
• 所属期刊栏目: 学术论文与技术报告
• 页码范围: 494-497
• 分类号: TN305.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.1999.05.011

摘要

对硅-硅直接键合界面上的SiO2进行了研究.借助高真空的AES和高分辨率的SEM显微分析观察到界面上的SiO2化学组成为非化学计量比的SiO1.5,以类球形小岛状均匀分布于键合界面上,平均半径远大于界面自然氧化层.对界面SiO2的理论分析表明,为了降低界面自由能,界面SiO2必然最大限度地减少其表面积,从而以类球形小岛分布于界面上,其平均半径至少大于自然氧化层的1.5倍.假定平衡界面因子为12时,同时考虑氧扩散引起的SiO2融解和界面自由能减小引起的成核长大效应,理论计算与实验结果相吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈星弼	电子科技大学微电子所	31	254	8.0	15.0
2	何进	电子科技大学微电子所	13	107	5.0	10.0
3	王新	电子科技大学微电子所	9	55	4.0	7.0