非晶硅太阳电池的性能与薄膜特性的关系

• 来源期刊: 北京师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 非晶硅太阳电池 平均场区域近似 电池性能 光学带隙 迁移率 表面复合
• 年，卷（期）: 1999,（4）
• 页码范围: 479-482
• 页数: 4页
• 分类号: TM914.4
• 语种: 中文

摘要

在RICHARD S.CRANDALL和PORPONTHSICHANUGRIST等人工作的基础上,用平均场区域近似(UFRA)方法,对P－I－NA－SI:H薄膜太阳电池进行了解析分析,得出了电池性能参数与本征层光学带隙EG、电子迁移率μN的关系.开路电压VOC、短路电流人、电池效率η随EG的增大而急剧减小,而填充因子FF随EG的增大而缓慢减小.VOC,JSC,η,FF都随μN的增大而增大,η变化最大,其次是FF计算结果还表明,μN的提高虽然能够提高VOC和JSC,但主要是通过提高FF来改善电池的性能的.而μ0的提高增大了载流子的漂移距离,大大地改善了电池的J?V特性,从而提高了FF和η这也体现了该类电池中的电流主要是漂移电流的特点.