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(113)面硅衬底上自组织生长的GeSi量子点及其光荧光
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摘要：
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自组织量子点光致荧光的温度依赖性
自组织量子点
光致荧光
热逃逸
再俘获
载流子热迁移对自组织量子点光致荧光的影响
自组织量子点
载流子
热迁移
光致荧光
自组织量子点的优化生长
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物理学报
主办单位：
中国物理学会
中国科学院物理研究所
出版周期：
半月刊
ISSN：
1000-3290
CN：
11-1958/O4
开本：
大16开
出版地：
北京603信箱
邮发代号：
2-425
创刊时间：
1933
语种：
chi
出版文献量（篇）
23474
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