宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体和低维结构材料及其光学性能研究进展

• 作者: 范希武
• 来源期刊: 光机电信息
• 学科: 工学
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 特集·专家视野
• 页码范围: 6-9
• 页数: 4页
• 分类号: TB3
• 字数: 4891字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-1180.2000.04.002

摘要

本文简要介绍了我们在宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体光电子学和发光学研究领域中取得的两大主要研究成果:第一,明确提出并实现了利用宽带Ⅱ-Ⅵ族晶体直接带跃迁来获得在室温和电场激发下自由激子发射的物理思想;第二,提出并实现了利用其超晶格的室温激子效应来实现在室温、蓝绿波段区以及具有ns和ps量级响应的光双稳的物理思想.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范希武	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国科学院激发态物理开放研究实验室	23	77	5.0	8.0