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GaN,AlN和BN(110)表面反常弛豫的电子结构计算
GaN,AlN和BN(110)表面反常弛豫的电子结构计算
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摘要：
推荐文章
反常弛豫的CuCI(110)表面电子态研究
紧束缚模型
散射理论
弛豫
投影能带结构
态密度(110)表面
Si(001)面弛豫表面构型与电子结构的第一性原理
Si(001)
表面弛豫
态密度
第一性原理
带有AlN插入层的GaN薄膜的结构及应变研究
GaN
高分辨X射线衍射
背散射/沟道
CdZnTe(110)面表面原子弛豫和表面态的研究
低能电子衍射
角分辨光电子谱
表面原子驰豫
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郑州大学学报(理学版)
主办单位：
郑州大学
出版周期：
季刊
ISSN：
1671-6841
CN：
41-1338/N
开本：
大16开
出版地：
郑州市高新技术开发区科学大道100号
邮发代号：
36-191
创刊时间：
1962
语种：
chi
出版文献量（篇）
2278
总下载数（次）
0
总被引数（次）
9540
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