离子注入法制备GaAs量子阱集成多波长发光芯片

• 作者: 刘兴权 朱德彰 李志锋 李明乾 沈学础 潘浩昌 胡军 陆卫 陈昌明
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaAs量子阱 离子注入 界面混合 光致发光
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 页码范围: 181-184
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2595字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2000.03.005

摘要

报道了用离子注入方法和组合技术制备的AlGaAs/GaAs单量子阱多波长发光集成芯片,利用量子阱界面混合原理在同一块GaAs衬底片上获得了20多个发光波长从787～724nm的GaAs量子阱发光单元,研究了不同剂量的As和H离子分别单独注入和迭加组合注入对量子阱发光峰位的影响,采用了组合技术和离子注入技术大大简化了制备工艺过程,这种发光芯片对于波分复用器件和建立离子注入数据库等方面都有重要的意义.