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摘要:
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基于新一代半导体GaN的高效率功率放大器的研制
GaN
功率匹配
高效率功率放大器
通信系统
新一代SiC功率器件及其在逆变焊机中的应用
SiC
逆变焊机
功率器件
宽禁带半导体
加研制出新一代纳米捕光“天线”
捕光天线
纳米材料
半导体材料
光合作用
物理学家
耶鲁大学
微小颗粒
科学家
SiC半导体材料和工艺的发展状况
碳化硅器件
器件工艺
半导体材料
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 新一代宽禁带半导体材料
来源期刊 有色金属分析通讯 学科 工学
关键词 宽禁带半导体材料 氧化锌 氮化镓 碳化硅
年,卷(期) 2000,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 29-30
页数 2页 分类号 TN304
字数 语种
DOI
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2000(0)
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研究主题发展历程
节点文献
宽禁带半导体材料
氧化锌
氮化镓
碳化硅
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
有色金属分析
双月刊
北京新街口外大街2号信息所
出版文献量(篇)
547
总下载数(次)
0
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