硅衬底阳极氧化铝膜的荧光发射研究

• 作者: 吴俊辉 朱青 邹建平 鲍希茂
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 阳极氧化铝 光致发光
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 53-56
• 页数: 4页
• 分类号: O484.41
• 字数: 1718字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2000.01.012

摘要

报道了用电子束蒸发技术在硅衬底上沉积,并于15wt% H2SO4,温度25℃和40V直流电压条件下阳极氧化铝薄的制备(膜厚约400nm).研究了该阳极氧化铝膜的红外吸收光谱(FTIR)、光致荧光光谱(PL)和荧光激发光谱(PLE).发现其荧光光谱在280～500nm范围内由三个主发射带组成,其峰值分别位于312nm,367nm和449nm.所有这三个PL带,经分析都与阳极氧化铝膜中的氧空位缺陷有关.312nm和367nm的发射带分别来源于与氧空位相关的F+(1B→1A)和F(3P→1S)中心,而449nm带的来源仍须进一步的工作来证明.