硅基PT/PZT/PT夹心结构的性能研究

• 作者: 任天令 刘理天 张林涛 李志坚
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 夹心结构 PZT PT Sol-Gel法
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 页码范围: 169-172
• 页数: 4页
• 分类号: TN43|TM22.1
• 字数: 2704字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2000.03.001

摘要

在已有的以无机锆盐为原料,用Sol-Gel方法制备硅基Pb(Zr0.53Ti0.47O3 (PZT)铁电薄膜的工艺基础上,成功地制备出PbTiO3/Pb(Zr0.53Ti0.47O3/ PbTiO3(PT/PZT/PT)夹心式新结构.由于采用了这种夹心式结构,使得PZT铁电薄膜的退火温度由原来的900℃降到了700℃.通过实验检验了新结构的铁电和介电性能.发现夹心结构有助于提高PZT薄膜的品质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘理天	清华大学微电子所	230	1519	19.0	23.0
2	任天令	清华大学微电子所	87	600	13.0	19.0
3	李志坚	清华大学微电子所	84	451	11.0	15.0
4	张林涛	清华大学微电子所	10	68	5.0	7.0