Pt/PZT铁电薄膜结晶性能与界面结构研究

• 作者: 万静 杨成韬
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: PZT薄膜 取向生长 高斯软件 团簇分子 界面结构 量子点
• 年，卷（期）: 2015,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 32-35
• 页数: 4页
• 分类号: TQ050.4
• 字数: 2004字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.10.008

摘要

锆钛酸铅[Pb(ZrxTi1-x)O3，PZT]薄膜具有优异的铁电性能，其中以(111)取向的PZT薄膜铁电性能更优异。目前对影响PZT薄膜取向生长的因素还未完全研究清楚，而PZT薄膜制备中，薄膜的择优取向生长控制是薄膜制备工艺的难点。采用TEM观察界面微观结构，利用高斯软件在TPSS/def2-TZVP水平下计算优化出Pb x Pt团簇分子的结构，发现界面层上形成的这类分子属于量子点范畴，结构上与PZT薄膜（111）晶面取向相似。提出高温退火生成的大量Pb x Pt团簇分子是（111）晶面取向生长的“诱导剂”，控制界面层这种物质的生成和扩散可以控制PZT薄膜（111）取向生长。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨成韬	电子科技大学微电子与固体电子学院	67	255	8.0	12.0
2	万静	电子科技大学微电子与固体电子学院	23	52	4.0	5.0