半绝缘GaAs的表面光伏谱研究

• 作者: 孙宝权 江德生 王若桢 郑红军 陈宜保
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 表面光伏谱 SI-GaAs 无损检测
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 页码范围: 15-18
• 页数: 4页
• 分类号: TN2
• 字数: 394字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2000.01.004

摘要

利用表面光伏法(SPV)研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)的缺陷态.通过加直流光偏置测量了室温下带边以下的光伏响应,发现带隙内缺陷态的光伏响应主要是由于表面复合而在样品表面形成载流子浓度梯度引起的,通过实验表明SPV是一种对SI-GaAs晶片表面质量进行检测的非常灵敏的无损检测方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王若桢	北京师范大学物理系	12	30	3.0	4.0
2	江德生	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	14	36	3.0	5.0
3	孙宝权	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	20	17	2.0	3.0
4	陈宜保	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	1	3	1.0	1.0
8	郑红军	中国科学院半导体研究所	6	50	3.0	6.0